法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-24
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 21/65 授权公告日:20090610 终止日期:20140510 申请日:20060510
专利权的终止
2011-01-26
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 合同备案号:2010220000050 让与人:吉林大学 受让人:吉林省海辰科技有限公司 发明名称:采用纳米级半导体材料为基底进行SERS检测的方法 公开日:20061122 授权公告日:20090610 许可种类:独占许可 备案日期:20101129 申请日:20060510
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2009-06-10
授权
授权
2007-01-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-11-22
公开
公开
机译: 用于检测磁场的传感器轴具有挠性基底,其中挠性磁阻元件一个接一个地布置并且基于有机半导体材料例如硅被施加在基底上。高分子材料
机译: 基于具有可变形基底的膜结构的膜组件,该膜结构在NM范围内具有三维孔,并且采用相同的半导体技术方法进行制造
机译: 基于具有可变形基底的膜结构的膜组件,该膜结构在NM范围内具有三维孔,并且采用相同的半导体技术方法进行制造