MRAM技术中用于MTJ中的合成反铁磁结构及MTJ的形成方法

摘要

一种用于磁阻随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结(MTJ)(10)，具有自由层(14)，该自由层是合成反铁磁(SAF)结构。该SAF(14)包括由耦合层(28)分隔的两个铁磁层(26，30)。耦合层(28)具有非磁性的基材料和改善热耐久性、SAF(14)的耦合强度控制和磁阻比(MR)的其它材料。优选的基材料是钌，优选的其它材料是钽。为了增强这些优点，在钽和铁磁层之一之间的界面处增加钴-铁。另外，耦合层(28)甚至可具有更多的层(38、40)，并且使用的材料可以变化。另外，耦合层(28)本身可为合金。