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一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法

摘要

本发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法。该水冷热屏结构包括:水冷热屏本体以及设置于水冷热屏本体内部的气冷装置,其中,气冷装置,用于将惰性气体输送至单晶硅生长区域。该水冷热屏结构能够有效地提升单晶硅生长速度。

著录项

  • 公开/公告号CN112760709B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶澳太阳能有限公司;

    申请/专利号CN202011561712.2

  • 发明设计人 焦鹏;黄旭光;刘彬国;

    申请日2020-12-25

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B13/00(20060101);C30B15/00(20060101);C30B27/00(20060101);C30B27/02(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人杨倩;张效荣

  • 地址 055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街

  • 入库时间 2022-08-23 13:25:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    授权

    发明专利权授予

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