公开/公告号CN100511885C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-08
原文格式PDF
申请/专利权人 皇家飞利浦电子股份有限公司;
申请/专利号CN200580037053.X
申请日2005-10-20
分类号H01S5/06(20060101);H01L33/00(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张雪梅;陈景峻
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:02:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-12-19
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/06 授权公告日:20090708 终止日期:20111020 申请日:20051020
专利权的终止
2009-07-08
授权
授权
2007-12-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-10-03
公开
公开
机译: 半导体器件的零气隙具有半导体器件的生产方式,该半导体器件具有伴随气隙的达马金结构和伴随气隙的达马金结构
机译: 具有不同带隙能量的直接带隙半导体层的图像传感器
机译: 半导体器件包括带隙宽于硅的带隙的衬底和制造半导体器件的方法