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基于α-Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明属于光电转换技术领域,具体涉及一种基于α‑Ga2O3/TiO2异质结的日盲紫外探测器及其制备方法,所述探测器从下至上包含透明导电衬底、α‑Ga2O3/TiO2异质结光敏层、石墨烯‑银纳米线透明电极层和第一金属电极层,还包括设置于透明导电衬底上的第二金属电极层;所述α‑Ga2O3/TiO2异质结光敏层包括若干阵列分布的α‑Ga2O3/TiO2异质结纳米柱,α‑Ga2O3/TiO2异质结纳米柱包括内核α‑Ga2O3纳米柱、包覆于所述内核α‑Ga2O3纳米柱侧壁和靠近所述石墨烯‑银纳米线透明电极层一端的TiO2层。本发明的探测器利用α‑Ga2O3/TiO2异质结促进了光生载流子的自动分离,以石墨烯‑银纳米线复合膜做透明上电极,大大提高了探测器的有效光照面积,从而获得高的光响应度。

著录项

  • 公开/公告号CN111477699B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州紫芯光电有限公司;

    申请/专利号CN202010296965.5

  • 申请日2020-04-16

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/036(20060101);H01L31/109(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 310018 浙江省杭州市经济技术开发区浙江理工大学11号楼223-137

  • 入库时间 2022-08-23 13:21:17

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