一种BaSi2薄膜的外延生长方法

摘要

本发明一种BaSi2薄膜的外延生长方法，具体指一种利用磁控共溅射技术在单晶Si衬底上外延生长BaSi2薄膜的方法，涉及BaSi2薄膜制作方法技术领域。一种BaSi2薄膜的外延生长方法，所述单晶硅衬底晶向为或，电阻率0.01～10000Ω.cm。还包括如下步骤：I.单晶硅衬底清洗；II.单晶硅衬底退火；III.BaSi2种子层生长；IV.Ba、Si共溅射生长得到BaSi2外延薄膜。综上所述，本发明一种BaSi2薄膜的外延生长方法，与现有技术相比，具有可以实现薄膜的化学计量比的精确控制，提高薄膜的质量，有较好的外延特性及比分子束外延技术有生长速率快、成本低等优点。