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展青霉素磁性分子印迹聚合物及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种展青霉素磁性分子印迹聚合物的制备方法,首先通过水热法制备大粒径四氧化三铁纳米粒子,然后制备Fe3O4@SiO2微球,Fe3O4@SiO2微球乙烯基化后聚合制得展青霉素磁性分子印迹聚合物。本申请制备所得展青霉素磁性分子印迹聚合物吸附速率显著提升,60分钟便能达到吸附平衡,并且在多次再生后仍可保持稳定及重复使用的性能,特异性强,制备时间短。本申请制备所得展青霉素磁性分子印迹聚合物更加有利于用于展青霉素的快速检测样品前处理。

著录项

  • 公开/公告号CN110790933B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国药科大学;

    申请/专利号CN201911050478.4

  • 申请日2019-10-31

  • 分类号C08G77/26(20060101);C08G83/00(20060101);C08J9/26(20060101);B01J20/26(20060101);B01J20/28(20060101);

  • 代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人杨晓莉

  • 地址 210009 江苏省南京市鼓楼区童家巷24号

  • 入库时间 2022-08-23 13:20:05

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