首页> 中国专利> 具有改进的单元稳定性的静态随机存取存储器阵列及方法

具有改进的单元稳定性的静态随机存取存储器阵列及方法

页面导航

摘要

本发明提供了CMOS静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列、包括该阵列的集成电路芯片、以及访问该阵列的单元的方法。连接到阵列中半选单元的位线在单元访问期间被浮动，以改进SRAM单元稳定性和SRAM数据可靠性。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-20

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/419 变更前: 变更后: 登记生效日:20150428 申请日:20050708

专利申请权、专利权的转移
2012-10-17

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/419 变更前: 变更后: 登记生效日:20120912 申请日:20050708

专利申请权、专利权的转移
2009-04-29

授权

授权
2006-05-31

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-04-05

公开

公开

1. 具有改进的单元稳定性的静态随机存取存储器阵列及方法 [P] . 中国专利： CN100483547C . 2009.04.29
2. 具有静态随机存取存储器阵列和电阻式存储器阵列的非易失性静态随机存取存储器系统 [P] . 中国专利： CN107437426A . 2017-12-05
3. Dual-port static random access memory having improved cell stability and write margin [P] . 美国专利： US7193924B2 . 2007-03-20

机译：具有改进的单元稳定性和写裕度的双端口静态随机存取存储器
4. Dual-port static random access memory having improved cell stability and write margin [P] . 美国专利： US2006250880A1 . 2006-11-09

机译：具有改进的单元稳定性和写裕度的双端口静态随机存取存储器
5. Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array [P] . 美国专利： US9640256B1 . 2017-05-02

机译：具有静态随机存取存储器（SRAM）阵列和电阻式存储器阵列的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）系统