一种以自对准方式制造薄膜熔丝相变化随机存取存储器的方法

摘要

一种根据掩模修剪在较宽结构上制造自对准的较窄结构的方法。制造存储器件的方法，包含在包含有使用前段工艺生成的电路的衬底上形成电极层。此电极层包括第一电极和第二电极，其间有着绝缘构件以作为每个相变化存储单元。存储材料补钉形成于横越绝缘构件的该电极层的上表面。此补钉、第一电极和第二电极利用根据掩模修剪使用自对准工艺所生成。