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淀积金属硫族化物膜的方法和制备场效应晶体管的方法

摘要

淀积金属硫族化物膜的一种方法,包括步骤:将一种离析的金属硫族化物的饼基前体与一种其中含有一种增溶剂的溶剂相接触,制得一种它们的配合物的溶液;将这种配合物溶液应用到衬底上在衬底上制得这种溶液的涂层;将溶剂从这种涂层中去除在衬底上制得配合物膜;然后将这种配合物膜退火使该配合物分解,在衬底上制得金属硫族化物膜。还提供一种制备一种离析的金属硫族化物饼基前体以及用这种金属硫族化物作沟道层的薄膜场效应晶体管的方法。提供可供选择的用来从该金属硫族化物饼基前体的溶液中淀积半导体硫族化物膜的方法,这样制备:(1)将至少一种金属硫族化物与一种肼化合物相接触,或者(2)将至少一种金属硫族化物先与一种胺化合物的盐相接触,形成一种铵基前体,然后再将其与一种肼化合物相接触。

著录项

  • 公开/公告号CN100490205C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200410063555.7

  • 发明设计人 DB·米特兹;M·科普;

    申请日2004-07-09

  • 分类号H01L51/40(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);H01L51/00(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人蔡胜有

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 授权公告日:20090520 终止日期:20120709 申请日:20040709

    专利权的终止

  • 2009-05-20

    授权

    授权

  • 2005-05-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-16

    公开

    公开

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