基于单层膜或多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法

摘要

一种基于单层膜或多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法，属于磁电子器件制造技术领域。其特征在于包括以下步骤：(1)按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性器件基体，其中在沉积磁性层时施加50～500Oe的平面诱导磁场；(2)利用聚焦镓离子工作站作为加工设备，进行无掩膜离子辐照加工；(3)其中离子辐照参数为：离子辐照的剂量为1×10¹³～1×10¹⁸ions/cm²，离子束能量为20～30keV，离子束流为100pA～5nA；(4)利用聚焦离子束工作站在磁性薄膜器件的周围沉积出所需的电极。本方法具有无需制备掩模、方法简单、效率高的优点。