紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法

摘要

一种通过紫外写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅或二氧化硅衬底上依次生长二氧化硅下包层、波导层和上包层形成基片；(2)对上述基片进行载氢；(3)对整个基片用紫外激光进行均匀曝光，使整个波导层的折射率均匀升高；(4)制作掩膜，即将掩膜的非波导区域镂空；(5)掩膜将欲形成波导区域遮挡，用紫外激光对基片进行第二次曝光，使掩膜未遮挡区域的波导层折射率较未曝光时还低；(6)退火，稳定折射率变化，则形成了高折射率差的二氧化硅波导。