SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法

摘要

本发明提供一种SOI晶体管四端口网络射频模型参数提取方法，包括以下步骤：1）依据YGG提取栅电阻Rg及栅电容Cgg；2）依据YGS提取栅源电容Cgs，并依据YGD提取栅漏电容Cgd；3）依据YGS、Rg、Cgs及Cgd提取源电阻Rs，并依据YGD、Rg、Cgs及Cgd提取漏电阻Rd；4）依据YBS提取源体二极管结电容Csb，并依据YBD提取漏体二极管结电容Cdb；5）依据YBB提取体电阻Rb；6）依据漏区埋氧层与衬底的Y参数提取衬底电阻；7）依据漏区埋氧层与衬底的Y参数及ZBB提取衬底电容；8）依据ZCdbox提取漏区埋氧层电容；9）依据源区埋氧层与衬底的Y参数及YSS提取源区埋氧层电容。本发明通可以利用Y参数或Z参数直接对所述SOI晶体管四端口网络射频模型参数进行提取。