公开/公告号CN109660386B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉精鸿电子技术有限公司;
申请/专利号CN201811436611.5
申请日2018-11-28
分类号H04L41/082(20220101);H04L67/06(20220101);H04L69/164(20220101);H04L9/06(20060101);
代理机构42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙);
代理人赵伟
地址 430070 湖北省武汉市洪山区书城路48#(北港工业园)1栋11层
入库时间 2022-08-23 13:08:15
机译: 晶片级老化测试方法,晶片级老化测试设备和半导体存储器件
机译: 半导体存储器的老化测试的印刷电路板和老化测试的方法
机译: 半导体存储器件的老化测试使能电路和老化测试方法