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一种光刻胶图案制备方法和阵列基板制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种光刻胶图案的制备方法和阵列基板的制备方法。该光刻胶图案的制备方法包括:提供基底,基底包括曝光区和非曝光区;在基底的曝光区内设置反射结构,反射结构包括反射面,反射面位于反射结构的侧壁上;在基底上形成光刻胶层,光刻胶层覆盖曝光区和非曝光区;对曝光区内的光刻胶层曝光,以使被曝光的光刻胶改性,反射结构的反射面对入射到其上的光线进行反射,以增加靠近基底处发生改性的光刻胶的体积;对光刻胶层显影,以形成光刻胶图案。本发明实施例可以改善底层光刻胶的感光,解决现有曝光过程中光刻胶底层感光较弱而使光刻胶图案存在误差的问题,保证了光刻胶图案的准确性,有助于提升光刻质量。

著录项

  • 公开/公告号CN110429029B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥维信诺科技有限公司;

    申请/专利号CN201910786427.1

  • 发明设计人 路天;王中来;

    申请日2019-08-23

  • 分类号H01L21/027(20060101);H01L21/84(20060101);H01L27/12(20060101);

  • 代理机构11659 北京远智汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人范坤坤

  • 地址 230012 安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角

  • 入库时间 2022-08-23 13:08:06

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