公开/公告号CN112626617B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;
申请/专利号CN202011458378.8
申请日2020-12-11
分类号C30B29/22(20060101);C30B7/08(20060101);
代理机构11540 北京元周律知识产权代理有限公司;
代理人张琦
地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
入库时间 2022-08-23 13:07:35
机译: 制备氮化铝体单晶,包括在坩埚排列的晶体生长区域中放置单晶氮化铝籽晶,并在晶体生长区域中产生氮化铝生长气相
机译: 制造用于辐射检测器的转换层的数量的方法,涉及在具有用于一个或多个转换层的结构形成元件的晶体生长设备中在籽晶层上生长半导体晶体。
机译: 提拉装置的自动控制包括首先将籽晶放入坩埚中的熔体中,然后以晶体生长的速度从熔体中拉出以形成晶体块