在替代沟道FINFET中的子鳍状物侧壁钝化

摘要

公开了通过使用子鳍状物钝化层来减少基于鳍状物的晶体管的截止状态泄漏的技术。在一些情况下，所述技术可以包括在体硅衬底中形成牺牲鳍状物以及沉积和平坦化浅沟槽隔离(STI)材料，去除并用替代材料(例如，SiGe或III‑V族材料)替代牺牲硅鳍状物，去除STI材料的至少部分以暴露出替代鳍状物的子鳍状物区域，向暴露出的子鳍状物应用钝化层/处理/剂，以及再沉积和平坦化附加的STI材料。然后可以执行标准晶体管形成工艺以完成晶体管器件。该技术总体上提供为基于STI的沟槽中生长的结构添加任意钝化层的能力。钝化层抑制子鳍状物源极‑漏极(和漏极‑源极)电流泄漏。