在半导体器件中形成复合中心

摘要

本发明公开了在半导体器件中形成复合中心。公开的是一种方法。所述方法包括：经由形成在半导体主体的顶部上的绝缘层中的至少一个接触孔把复合中心粒子注入到半导体主体中；在所述至少一个接触孔中形成电气连接到半导体主体的接触电极；以及对半导体主体进行退火以使复合中心粒子在半导体主体中扩散。形成接触电极包括在半导体主体的在所述至少一个接触孔中暴露的区段上形成屏障层，其中所述屏障层被配置成阻止复合中心粒子扩散到半导体主体之外。