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基于拓扑优化的高灵敏度压阻式单轴力传感器设计方法

摘要

本发明公开了一种基于拓扑优化的高灵敏度压阻式单轴力传感器设计方法,该方法以结构外力功最小为优化目标,结合力平衡方程、体积约束及灵敏度约束三个约束条件,由一系列设计变量决定传感器构型,对于该优化问题,本发明基于移动组件(孔洞)拓扑优化方法,利用拓扑描述函数把传感器的尺寸优化和拓扑优化设计统一起来,只需对一些设计变量(几何控制参数)添加适当的关联性,再将设计域内的几何信息映射到有限元模型上,得到优化列式的有限元离散格式,采用优化求解器对其进行求解。本发明的方法有望减少传感器研发的成本,提高传感器设计的效率,且所设计的传感器构型是可加工的。

著录项

  • 公开/公告号CN111090942B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;大连理工大学;

    申请/专利号CN201911310202.5

  • 申请日2019-12-18

  • 分类号G06F30/20(20200101);G06F30/17(20200101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜;韩介梅

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 13:06:07

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