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公开/公告号CN111528888B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 南昌大学;
申请/专利号CN202010362858.8
发明设计人 邓贞宙;周凯;
申请日2020-04-30
分类号A61B6/03(20060101);G01T1/164(20060101);
代理机构36129 南昌金轩知识产权代理有限公司;
代理人黄亮亮
地址 330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
入库时间 2022-08-23 13:06:00
机译: 具有光子晶体结构的发光二极管的制造方法,该光子晶体结构提高了光子效率
机译: 光子晶体结构和包括该光子晶体结构的发光二极管及其制造方法
机译: 利用光子晶体结构来增强磁光克尔效应的方法,以及具有增强的磁光克尔效应的光子晶体,一种制造光子晶体的方法
机译:基于具有光子晶体的GaN基超薄微腔发光二极管的近乎单引导模式提取的高方向发射图
机译:一种基于集合的方法来评估作为单光子发射器的纳米晶体样品的质量
机译:基于纳米方尖碑的超快单光子发射量子光子结构
机译:光子晶体结构将光子晶体结构引入有机发光二极管
机译:单光子发射器和光子纳米结构之间的受控相互作用
机译:单低温下卤化铯铯钙钛矿纳米晶体:快速单光子发射闪烁减少和激子精细结构
机译:单光子发射:在金属衬底上通过等离子体波导狭缝结构亮化和引导单光子发射(激光光子版Rev.13(10)/ 2019)
机译:双壁结构中隧穿电子的自发光子发射谱