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具有非易失性留存的基于铁电的存储器单元

摘要

描述了一种装置,所述装置包括:可通过写字线(WWL)进行控制的第一存取晶体管;可通过读字线(RWL)进行控制的第二存取晶体管;以及耦合到第一和第二存取晶体管的铁电单元,其中铁电单元经由WWL可编程并且经由RWL可读。描述了一种方法,所述方法包括:驱动耦合到第一存取晶体管的栅极端子的WWL以使第一存取晶体管接通;以及驱动耦合到第一存取晶体管的源极/漏极端子的写位线WBL,当第一存取晶体管接通时,被驱动的WBL用于使耦合到第一存取晶体管的存储节点充电或放电,其中铁电单元耦合到存储节点并且可根据经充电或放电的存储节点进行编程。

著录项

  • 公开/公告号CN107533860B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201580079294.4

  • 发明设计人 D.H.莫里斯;U.E.阿夫西;I.A.扬;

    申请日2015-05-28

  • 分类号G11C11/22(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人徐红燕;郑冀之

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 13:05:26

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