首页> 中国专利> 半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管

半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm

著录项

公开/公告号CN107452742B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社和广武;
展开▼

申请/专利号CN201710265559.0
发明设计人酒井滋树;高桥光惠;楠原昌树;都田昌之;梅田优;佐佐木善和;
展开▼

申请日2017-04-21
分类号H01L27/11502(20170101);H01L27/11507(20170101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人周欣;陈建全
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 13:04:24

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管 [P] . 中国专利： CN107452742B . 2022.02.01
2. 强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法 [P] . 中国专利： CN1545733A . 2004-11-10
3. 強誘電体及びこれを備えるメモリー素子、並びに強誘電体の製造方法 [P] . 日本专利： JP2019041058A . 2019-03-14

机译：强电介质，具有该强电介质的存储元件以及用于制造该强电介质的方法。
4. Nanowire-based Transistor, Method for Fabricating the Transistor, Semiconductor Component Incorporating the Transistor, Computer Program and Storage Medium Associated with the Fabrication Method [P] . 美国专利： US2013313525A1 . 2013-11-28

机译：基于纳米线的晶体管，晶体管的制造方法，结合晶体管的半导体元件，与该制造方法相关的计算机程序和存储介质
5. Method of using and manufacturing natural cellulosic fibers, synthetic cellulosic fibers, or combinations thereof as physical supports and charge storage media in self-supporting junction field effect transistors with memories using active semiconductor oxides [P] . 日本专利： JP2011517504A . 2011-06-09

机译：在使用活性半导体氧化物的具有存储器的自支撑结型场效应晶体管中使用和制造天然纤维素纤维，合成纤维素纤维或其组合作为物理载体和电荷存储介质的方法和制造方法