North Carolina State University.;
机译:在负偏压温度不稳定性应力作用下,掺入氮和硅的HfO_2栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管产生体和界面陷阱
机译:离子注入4H碳化硅金属半导体场效应晶体管栅金属氧化物半导体结构的参数分析
机译:6H碳化硅/金属硅氧化物半导体场效应晶体管在深层中心的自旋依赖性复合
机译:碳化硅结场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管的特性。
机译:用于生化传感器应用的互补金属氧化物半导体芯片上的硅纳米线场效应晶体管阵列的单片集成
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生