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费庆宇;
无;
机译:界面处理对界面缺陷态分布和III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管C-V特性的影响
机译:具有超薄等离子氮化SiON栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在负偏置温度不稳定性下的界面陷阱和氧化物电荷产生
机译:通过横向C-V测量检测金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化物层中内置的电荷
机译:半导体/电介质界面上基于A10x纳米粒子的有机场效应晶体管中的光响应和光诱导存储效应
机译:使用场效应晶体管探测有机半导体/无机氧化物界面的电子,结构和电荷转移性质。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:X射线产生的电荷沉积和接触附近的电介质中的剂量,包括空间电荷场和电导率效应。
机译:基于天然纤维素纤维,合成纤维或混合纤维作为物理支持的纸张的生产和存储介质,用于在自持场效应晶体管中存储带电电荷的介质,使用有源半导体
机译:基于天然纤维素纤维,合成纤维或混合纤维作为物理支持的纸张的生产和储存介质,用于在自持场效应晶体管中存储带电电荷的电荷,使用有源半导体氧化物
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