公开/公告号CN110634899B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;
申请/专利号CN201910914910.3
申请日2019-09-26
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人焦健
地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2022-08-23 13:04:02
机译: 背照式有源像素传感器阵列和包括背照式有源像素传感器阵列的背照式图像传感器
机译: 制造背照式图像传感器的方法,由该制造方法制造的背照式图像传感器以及具有该图像照明装置的图像捕捉装置
机译: 背照式固态图像传感器的晶片,其制造方法和背照式固态图像传感器