通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性

摘要

本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。