公开/公告号CN111480242B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 芯成半导体(开曼)有限公司;
申请/专利号CN201880081072.X
申请日2018-12-21
分类号H01L43/02(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构11336 北京市磐华律师事务所;
代理人刘娟
地址 开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 13:02:55
机译: 在同一芯片上组合NVM类和SRAM类MRAM元件的方法
机译: 在同一芯片上组合NVM类和SRAM类MRAM元素的方法
机译: 在同一芯片上组合NVM类和SRAM类MRAM元素的方法