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在同一芯片上组合NVM类别和SRAM类别MRAM元件的方法

摘要

一种用于制造磁性随机存取存储器芯片的方法,该芯片具有形成在同一芯片上的具有不同性能特性的磁性存储器元件。磁性存储器元件可以是磁性随机存取存储器元件。存储器芯片可以具有在传感器的第一区域中形成的具有第一组物理和性能特性的第一组磁性随机存取芯片,以及在芯片的第二区域中形成的具有第二组性能特性的第二组磁性随机存取芯片。例如,第一组磁性随机存取存储器元件的性能特性可以匹配或者超过非易失性存储器的性能特性,而第二组磁性随机存取存储器元件的性能特性可以匹配或者超过静态随机存取存储器元件的性能特性。

著录项

  • 公开/公告号CN111480242B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯成半导体(开曼)有限公司;

    申请/专利号CN201880081072.X

  • 申请日2018-12-21

  • 分类号H01L43/02(20060101);H01L43/12(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人刘娟

  • 地址 开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2022-08-23 13:02:55

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