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磁化反转元件、磁阻效应元件和存储设备

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摘要

该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。

公开/公告号CN108738371B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25

原文格式PDF
申请/专利权人 TDK株式会社;
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申请/专利号CN201880000876.2
发明设计人及川亨;佐佐木智生;盐川阳平;柴田龙雄;
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申请日2018-02-22
分类号H01L29/82(20060101);H01F10/16(20060101);H01F10/32(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L27/105(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人杨琦;吕秀平
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 13:02:33

1. 磁化反转元件、磁阻效应元件和存储设备 [P] . 中国专利： CN108738371B . 2022.01.25
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