首页> 中国专利> 位移缓存器及位移缓存单元

位移缓存器及位移缓存单元

摘要

一种具临界电压变动补偿的位移缓存器与其位移缓存单元。该位移缓存器是将非晶硅薄膜晶体管的临界电压值记录于一电容中,在运作时会根据该电容内记录的临界电压值来动态改变非晶硅薄膜晶体管的偏压大小。

著录项

  • 公开/公告号CN100495520C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜华科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200610108944.6

  • 发明设计人 罗新台;许景富;廖文堆;

    申请日2006-07-28

  • 分类号

  • 代理机构北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人田野

  • 地址 台湾省台中县

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G09G 3/36 授权公告日:20090603 终止日期:20150728 申请日:20060728

    专利权的终止

  • 2009-06-03

    授权

    授权

  • 2008-03-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-01-30

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号