可程式化非挥发性记忆体及其形成方法

摘要

本发明是有关于一种可程式化非挥发性记忆体装置及其形成方法，该方法与互补式金氧半导体(CMOS)逻辑装置制程相容，用以改善制程流程，该可程式化非挥发性记忆体装置包括一半导体基底主动区；一闸极介电层在该半导体基底主动区上；一浮接闸极电极在该闸极介电层上；一闸极间介电层在该浮接闸极电极上方；一控制闸极镶嵌电极延伸穿过一绝缘介电层且与闸极间介电层有电性沟通，该控制闸极镶嵌电极位于浮接闸极电极之上。