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核壳量子点、量子点发光二极管、量子点组合物、显示器件

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摘要

本申请公开了核壳量子点、量子点发光二极管、量子点组合物、显示器件。该核壳量子点包括量子点核以及由内到外依次包覆在量子点核上的第一壳层、第二壳层和第三壳层，量子点核的材料为CdZnSe，第一壳层的材料为CdZnSeS，第二壳层的材料为ZnSeS，第三壳层的材料为CdZnS。本申请提供的核壳量子点实现了空穴波函数与电子波函数的分离，使空穴波函数限域在量子点核中，电子波函数离域到第三壳层中，在保证发射峰在蓝光范围内的同时，可以分别调节核壳量子点的空穴注入能力和电子注入能力，从而平衡载流子的注入。

著录项

公开/公告号CN111509142B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-18

原文格式PDF
申请/专利权人纳晶科技股份有限公司;
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申请/专利号CN202010190452.6
发明设计人胡保忠;毛雁宏;李光旭;
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申请日2020-03-18
分类号H01L51/54(20060101);H01L51/50(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构33336 宁波聚禾专利代理事务所(普通合伙);
代理人糜婧;顾赛喜
地址 310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
入库时间 2022-08-23 13:01:20

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