公开/公告号CN110641014B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽穿越光电科技有限公司;
申请/专利号CN201910803992.4
申请日2019-08-28
分类号B29C64/135(20170101);B29C64/314(20170101);B29C64/379(20170101);B29C67/20(20060101);B33Y10/00(20150101);B33Y30/00(20150101);B33Y40/10(20200101);B33Y40/20(20200101);B33Y70/00(20200101);
代理机构44525 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司;
代理人李明香
地址 237000 安徽省六安市霍邱县合肥高新区霍邱现代产业园
入库时间 2022-08-23 13:00:19
机译: 利用微流控通道结构制造单分散珠的方法,用这种方法生产的珠以及微流控芯片的制造方法
机译: 微纳通道结构,传感器及其制造方法,以及微流体装置
机译: 能够对结构表面进行改性以使其具有出色的涂层稳定性,耐用性和表面改性程度的微流控芯片通道的选择性表面改性方法,以及一种使用微流控方法制造的制造方法