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NiS2增强石墨烯基SERS装置及其制备方法

摘要

本发明涉及一种NiS2增强石墨烯基SERS装置,该装置的具体结构为M‑NiS2/NiS‑石墨烯,其中,M为贵金属纳米层,NiS2/NiS为交替的NiS2和NiS纳米多层结构。以聚苯乙烯胶体球模板为衬底,在其表面化学气相沉积石墨烯层;(2)在石墨烯层表面原子层沉积交替的NiS2和NiS纳米多层结构;(3)在交替的NiS2和NiS纳米多层结构表面磁控溅射贵金属纳米层。NiS2的引入,可以明显增加装置对不同探针分子的检测灵敏度。交替的NiS2和NiS纳米多层结构于石墨烯层和贵金属层复合作用,使得基底可以实现对于多种激发波长下的拉曼增强,拓宽了其拉曼分析应用范围。

著录项

  • 公开/公告号CN111501043B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 王玲娟;

    申请/专利号CN202010358303.6

  • 发明设计人 隋学森;

    申请日2020-04-29

  • 分类号C23C28/00(20060101);C23C16/26(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/455(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/35(20060101);G01N21/65(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 325611 浙江省温州市乐清市清江镇江沿村

  • 入库时间 2022-08-23 12:59:34

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