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公开/公告号CN109690416B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社尼康;
申请/专利号CN201780037914.7
发明设计人 麦可·B·宾纳德;
申请日2017-06-15
分类号G03F9/00(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王万影;黄纶伟
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 12:59:08
机译: 具有畸变匹配的密集线紫外光刻系统
机译: 密集线极紫外光刻系统用于应变匹配
机译: 具有畸变匹配的密线极紫外照相技术
机译:线聚焦光束超声材料表征系统对极紫外光刻系统中超低膨胀玻璃的评价方法
机译:通过使用极紫外光刻技术制作的具有150 nm线栅的微标签
机译:具有自由曲面蝇眼的照明系统,可产生极紫外光刻中源掩模优化所规定的像素化瞳孔
机译:具有无畸变传输线的时滞双pn结二极管电磁系统中空间复杂行为的定量表征
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:具有纳米级畸变的图案化光栅扫描光束干涉光刻系统的设计与分析
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。