首页> 中国专利> 一种零等待周期SRAM的控制方法及装置

一种零等待周期SRAM的控制方法及装置

摘要

本发明提供了一种零等待周期SRAM的控制方法及装置,在基本的读、写、空闲状态以外,增加了三个状态,在保留与现有技术相同的指令执行效果的前提下,通过对SRAM控制器进行先读后写和对写操作进行锁存的控制,避免了在写后读操作需多等待至少一个周期的问题。从而通过实施本发明能够大大提高指令的执行效率,有效提升SOC系统运行程序的能力。

著录项

  • 公开/公告号CN113190174B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广芯微电子(广州)股份有限公司;

    申请/专利号CN202110450783.3

  • 申请日2021-04-25

  • 分类号G06F3/06(20060101);G06F15/78(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人郭浩辉;颜希文

  • 地址 510000 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之227

  • 入库时间 2022-08-23 12:58:35

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号