基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域，该基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片包括衬底和微桥结构，微桥结构设置在衬底上，微桥结构包括悬空在衬底上方的悬空区域；微桥结构的悬空区域包括晶体管层、红外吸收层和第一电引线图形层，第一电引线图形层位于晶体管层朝向衬底的一侧，第一电引线图形层包括多条第一电引线，每条第一电引线朝向衬底的一侧设置有形变梁，每个形变梁背离第一电引线的一端设置有悬垂电极，相邻两个第一电引线通过对应形变梁连接的两个悬垂电极形成第一电容。本发明提供的基于半导体集成电路工艺的红外传感器芯片用于检测红外光线的光照强度。