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硼同位素热电离质谱测定中氰酸根干扰的消除方法

摘要

本发明涉及一种硼同位素热电离质谱测定中氰酸根干扰的消除方法,包括下述步骤:在利用热电离质谱测定涂样时将抑制剂与硼同位素样品按任意比例一起涂在样品带上进行硼同位素组成测定;本发明的方法主要是抑制CNO-和Cs2CNO+离子合成,彻底消除CNO-和Cs2CNO+离子对硼同位素组成测定的同质异位素的干扰。

著录项

  • 公开/公告号CN100483101C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院青海盐湖研究所;

    申请/专利号CN03134621.9

  • 发明设计人 肖应凯;魏海珍;李世珍;孙爱德;

    申请日2003-09-17

  • 分类号G01N1/28(20060101);H01J49/26(20060101);

  • 代理机构62002 兰州中科华西专利代理有限公司;

  • 代理人王玉双

  • 地址 810008 青海省西宁市新宁路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 1/28 授权公告日:20090429 终止日期:20110917 申请日:20030917

    专利权的终止

  • 2009-04-29

    授权

    授权

  • 2005-06-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-23

    公开

    公开

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