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减慢半导体衬底中掺杂剂扩散的方法及由此制作的器件

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摘要

本发明一种制作半导体器件的方法(以及得到的结构)，它包含在衬底上注入掺杂剂和至少一种物质，以及对衬底进行退火，此至少一种物质在衬底的退火过程中减慢掺杂剂的扩散。

著录项

  • 公开/公告号CN100472720C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-03-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200480021844.9

  • 发明设计人 李康伦;朱慧珑;

    申请日2004-07-23

  • 分类号H01L21/265(20060101);H01L21/324(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/265 授权公告日:20090325 终止日期:20180723 申请日:20040723

    专利权的终止

  • 2017-04-05

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/265 登记生效日:20170315 变更前: 变更后: 申请日:20040723

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-04-05

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/265 登记生效日:20170315 变更前: 变更后: 申请日:20040723

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-03-25

    授权

    授权

  • 2009-03-25

    授权

    授权

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-09-06

    公开

    公开

  • 2006-09-06

    公开

    公开

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