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用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法

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摘要

一种含硅和氧的膜的ALD形成方法，该方法包括通过将经单取代的TSA前体的蒸气和含氧反应物依次引入含有基板的反应器中将含硅和氧的膜沉积在该基板上，该经单取代的TSA前体选自(SiH3)2N‑SiH2‑NH(SiMe3)和(SiH3)2N‑SiH2‑NHtBu。

公开/公告号CN111041456B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;
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申请/专利号CN201911392214.7
发明设计人让-马克·吉拉尔;张鹏;安东尼奥·桑切斯;马尼什·坎德尔沃;根纳迪·伊多;里诺·佩萨雷西;
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申请日2016-06-10
分类号C23C16/455(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/515(20060101);C01B21/087(20060101);C01B21/088(20060101);C07F7/02(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人李颖;林柏楠
地址法国巴黎
入库时间 2022-08-23 12:56:31

1. 用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法 [P] . 中国专利： CN111041456B . 2021.12.10
2. 用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法 [P] . 中国专利： CN111041456A . 2020-04-21
3. VAPOR DEPOSITION MASK, FRAME-EQUIPPED VAPOR DEPOSITION MASK, VAPOR DEPOSITION MASK PREPARATION BODY, VAPOR DEPOSITION PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL DISPLAY [P] . 美国专利： US2019211437A1 . 2019-07-11

机译：汽相沉积面膜，装有框架的汽相沉积面膜，汽相沉积面膜制备体，汽相沉积图案形成方法，有机半导体元素的制备方法以及有机EL显示器的制备方法
4. VAPOR DEPOSITION MASK, FRAME-EQUIPPED VAPOR DEPOSITION MASK, VAPOR DEPOSITION MASK PREPARATION BODY, VAPOR DEPOSITION PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT [P] . 美国专利： US2020259090A1 . 2020-08-13

机译：汽相沉积面膜，框架式汽相沉积面膜，汽相沉积面膜制备体，汽相沉积图案形成方法以及有机半导体元素的制备方法
5. VAPOR-DEPOSITION MASK, VAPOR-DEPOSITION MASK MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM PATTERN FORMING METHOD [P] . 韩国专利： KR20140063805A . 2014-05-27

机译：汽相沉积掩模，汽相沉积掩模制造方法和薄膜图案形成方法