公开/公告号CN113270327B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 珠海越亚半导体股份有限公司;
申请/专利号CN202110816260.6
申请日2021-07-20
分类号H01L21/50(20060101);H01L21/52(20060101);H01L21/56(20060101);H01L25/16(20060101);H01L23/31(20060101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人俞梁清
地址 519175 广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房
入库时间 2022-08-23 12:55:05
机译: 形成纳米线的方法,形成叠层结构的纳米线以及使用其制造垂直半导体器件和互连结构的方法以及包括其的垂直半导体器件和互连结构
机译: 形成纳米线的方法,形成叠层结构的纳米线以及使用其制造垂直半导体器件和互连结构的方法以及使用其的垂直半导体器件和互连结构
机译: 半导体芯片叠层封装结构和适用于该结构的半导体器件