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主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开主被动器件垂直叠层嵌埋封装结构及其制作方法,包括提供基板,将基板作为前一级结构体进行中间层和封装层加工,中间层加工:在前一级结构体上加工中间图形层,中间图形层包括特征金属块,特征金属块的边缘区域设置有空腔部,在中间图形层上层压和减薄以得到中间介质层,中间介质层位于空腔部内的部分形成支撑部;在中间介质层上加工封装层,封装层包括介质材料和牺牲金属块;进行蚀刻处理以得到封装腔以及在支撑部之间形成导流槽;在封装腔内贴装电子元器件,至少一个电子元器件承托于对应的支撑部;对封装腔进行封装处理。本发明能够将主被动器件封装在封装结构体内,缩小封装空间,有利于实现小型化设计。

著录项

  • 公开/公告号CN113270327B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 珠海越亚半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202110816260.6

  • 申请日2021-07-20

  • 分类号H01L21/50(20060101);H01L21/52(20060101);H01L21/56(20060101);H01L25/16(20060101);H01L23/31(20060101);

  • 代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;

  • 代理人俞梁清

  • 地址 519175 广东省珠海市斗门区珠峰大道北3209号FPC厂房

  • 入库时间 2022-08-23 12:55:05

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