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一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法

摘要

本发明公开一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法,包括步骤:第一步,对电路进行混合三维布局,获得粗略分层结果,同时产生硅通孔;第二步,根据混合三维布局的结果进行混合二维布局,获得精确布局结果;第三步,根据获得的精确布局结果,对宏单元进行合法化,减小宏单元与其他单元的重叠,然后固定宏单元;第四步,对标准单元进行三维布局;第五步,对标准单元进行二维布局;第六步,完成三维集成电路的详细布局,获得最终优化布局结果。本发明在芯片物理设计中,采用更好的布局算法,得到一个硅通孔数量更少,提高芯片性能,同时也会提高芯片制作效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111710644B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南科技大学;

    申请/专利号CN202010429586.9

  • 申请日2020-05-20

  • 分类号H01L21/768(20060101);

  • 代理机构51265 成都帝鹏知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人黎照西

  • 地址 621000 四川省绵阳市涪城区青龙大道59号

  • 入库时间 2022-08-23 12:53:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-04

    授权

    发明专利权授予

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