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导通孔结构、包含所述导通孔结构的衬底结构以及用于制造所述导通孔结构的方法

摘要

本发明揭示一种导通孔结构,其包含基底材料、第一介电层以及第二介电层。所述基底材料包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,且界定至少一个通孔。所述第一介电层位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面,其暴露在所述基底材料的所述通孔中。所述第二介电层位在第一介电层的所述梯度表面上。

著录项

  • 公开/公告号CN108933118B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日月光半导体制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201711035190.0

  • 发明设计人 吕文隆;蒋源峰;蔡宗唐;

    申请日2017-10-30

  • 分类号H01L23/538(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人蕭輔寬

  • 地址 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

  • 入库时间 2022-08-23 12:53:01

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