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一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构

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摘要

本发明公开了一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，由N层SRAM电路堆叠而成，第i层SRAM电路的高电压为第i层SRAM电路的低电压为1≤i≤N，N大于等于1，i及N均为正整数，该SRAM阵列结构的功耗较低，并且能量利用率较高。

1. 一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构 [P] . 中国专利： CN108962309B . 2021.12.28
2. 一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构 [P] . 中国专利： CN108962309A . 2018-12-07
3. Thermal battery of alternating electric cells and heaters - in insulated stacks with heat stores between, for high energy yield and life [P] . 德国专利： DE2416290A1 . 1975-04-03

机译：交替电池和加热器的热电池-绝缘堆叠，中间有蓄热装置，可提高能量利用率和寿命
4. SRAM ARRAY, SRAM CELL, MICROPROCESSOR, METHOD, AND SRAM MEMORY (SRAM MEMORY AND MICROPROCESSOR COMPRISING LOGIC PORTION REALIZED ON HIGH-PERFORMANCE SILICON SUBSTRATE AND SRAM ARRAY PORTION, INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING LINKED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM) [P] . 日本专利： JP2006203198A . 2006-08-03

机译： SRAM阵列，SRAM单元，微处理器，方法和SRAM存储器（包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现，其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法）
5. Design structure for improving performance of SRAM cells, SRAM cell, SRAM array, and write circuit [P] . 美国专利： US7675794B2 . 2010-03-09

机译：用于提高SRAM单元，SRAM单元，SRAM阵列和写入电路性能的设计结构