氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其步骤包括：(1)在衬底上沉积p‑GaN层；(2)在干净、平整的玻片表面放置PDMS，在胶带的表面铺一层均匀的MoS2片状晶体，用胶带粘有MoS2片状晶体的一面接触PDMS并施压，使MoS2转移到PDMS上形成MoS2膜，揭下胶带，再将步骤(1)制得的器件的p‑GaN层表面反扣在PDMS上并施压，使MoS2膜转移到p‑GaN层表面，制成氮化镓二硫化钼混合尺度PN结。本发明中采用的是PDMS辅助干法转移，操作简单，制作成本低廉。利用该方法制备出来的MoS2薄膜尺寸较大，且与传统的机械剥离法相比，该方法制备的样品衬底较为干净，便于后续的器件测试。