首页> 中国专利> 一种TiO2/ZnO半导体异质结SERS活性基底的制备方法

一种TiO2/ZnO半导体异质结SERS活性基底的制备方法

摘要

一种TiO2/ZnO半导体异质结SERS活性基底的制备方法,它涉及SERS活性基底的制备方法。它是要解决现有的TiO2/ZnO半导体异质结制备方法复杂、用作SERS基底时活性低的技术问题。本方法:将钛酸四丁酯溶液滴入乙醇、水和浓硝酸混合液中制备溶胶,再经水热和焙烧,得到TiO2纳米粒子;将TiO2纳米粒子加入到Zn(NO3)2.6H2O水溶液中,再加入NaOH水溶液和促进剂,搅拌、沉降、烘干、焙烧,得到TiO2/ZnO半导体异质结新型SERS活性基底。它对4‑巯基吡啶的最低检出浓度达到1×10‑9M,可用于表面增强拉曼检测领域。

著录项

  • 公开/公告号CN109932351B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 佳木斯大学;

    申请/专利号CN201910196490.X

  • 申请日2019-03-15

  • 分类号G01N21/65(20060101);G01N21/01(20060101);

  • 代理机构23210 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王艳萍

  • 地址 154000 黑龙江省佳木斯市向阳区学府街258号

  • 入库时间 2022-08-23 12:49:46

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号