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公开/公告号CN109932351B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19
原文格式PDF
申请/专利权人 佳木斯大学;
申请/专利号CN201910196490.X
发明设计人 杨立滨;江欣;王伟娥;吴莉莉;杜娟;杨铭;徐琳;
申请日2019-03-15
分类号G01N21/65(20060101);G01N21/01(20060101);
代理机构23210 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙);
代理人王艳萍
地址 154000 黑龙江省佳木斯市向阳区学府街258号
入库时间 2022-08-23 12:49:46
机译: 基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
机译: 异质结二极管,一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:管状半导体区上生长的金属树:具有高SERS和光催化活性的TiO2 /(Zn,Sn)Pd异质结构
机译:在3D微孔Ti基底上分层制备SrTiO3 / TiO2异质结纳米管,具有增强的光催化活性和粘合强度
机译:一种新型的黑色TiO2 / ZnO纳米锥阵列在碳布上的异质结,可实现高效的光电化学性能
机译:基于染料致敏太阳能电池(DSSC)的杂交散装异质结的ZnO NR / TiO2 NR-P3HT作为活性层的最佳化活性
机译:可见光活性半导体异质结增强了光催化活性
机译:具有可见光催化活性的Cu2O-TiO2 NTA异质结的简便制备方法
机译:基于TiO2半导体聚合物异质结的太阳能电池二氧化钛制备方法对比较研究
机译:具有外延ZnO基异质结的紫外电注入光源