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一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法

摘要

本发明属于印刷电子技术领域,公开了一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法。选取禁带宽度相近的金属氧化物绝缘材料和金属氧化物导电材料的前驱体,将其分别溶于同一种溶剂或互溶的溶剂得到绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液:然后将绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液依次旋涂于正极衬底上,热退火处理后沉积一层负电极材料,得到金属氧化物TFD。本发明基于溶液法旋涂禁带宽度相近且能溶于互溶或同一溶剂体系的绝缘层和导体层,利用绝缘层和导体层之间形成较大混溶区,使得金属氧化物薄膜器件表现出二极管的整流特性,制备出高性能的金属氧化物薄膜二极管。

著录项

  • 公开/公告号CN110534434B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201910634921.6

  • 申请日2019-07-15

  • 分类号H01L21/34(20060101);H01L21/445(20060101);H01L21/4763(20060101);H01L29/872(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗啸秋

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 12:49:38

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