一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路

摘要

本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO₂氧化层。多晶硅层和SiO₂氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠近P阱的侧面与P阱N+注入区靠近N阱的侧面之间的距离。多晶硅层和SiO₂氧化层开有与注入区对应的通孔。本发明可以使中心N+注入区、N+注入区和P+注入区能够穿越通孔注入到对应的阱区，能够显著地提高静电电流泄放的有效面积，更均匀、更分散、更快地泄放掉，从而提高了静电放电防护电路的静电耐受力，有效提高防护静电能力。