公开/公告号CN109800451B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利号CN201811515755.X
申请日2018-12-12
分类号G06F30/20(20200101);G06T11/20(20060101);
代理机构37224 济南日新专利代理事务所(普通合伙);
代理人崔晓艳
地址 257000 山东省东营市东营区济南路125号
入库时间 2022-08-23 12:48:46
机译: 具有低硼浓度区和高硼浓度区的自由层,磁阻单元和磁阻随机存取存储装置及其制造方法
机译: 具有低硼浓度区和高硼浓度区的自由层,磁阻单元和磁阻随机存取存储装置及其制造方法
机译: 具有低硼浓度区和高硼浓度区的自由层,磁阻单元,磁阻存储器件及其制造方法