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一种银纳米花复合石墨烯SERS基底及其制备方法和应用

摘要

本发明属于SERS基底技术领域,尤其涉及一种银纳米花复合石墨烯SERS基底及其制备方法和应用。所述SERS基底结构为:基底的一个表面上两端各设置有一导电电极,两导电电极和基底之间形成凹槽,所述凹槽中从下到上依次分布有:第一层石墨烯、第一层银纳米花、第二层石墨烯、第二层银纳米花,所述第一、二层银纳米花分别生长在第一、二层石墨烯上,所述第二层石墨烯生长在第一层银纳米花上。本发明设计的SERS基底的两层银纳米花结构之间的石墨烯形成耦合的电磁增强区域,能够显著增加材料表面的“热点”密度,而且底部的银纳米结构造成覆在自身表面的石墨烯形成起伏的褶皱状形貌,增大了材料表面的比表面积,为待测分子提供更多的结合位点。

著录项

  • 公开/公告号CN110146481B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东师范大学;

    申请/专利号CN201910375935.0

  • 发明设计人 杨诚;吕可;满宝元;

    申请日2019-05-07

  • 分类号G01N21/65(20060101);

  • 代理机构37221 济南圣达知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑平

  • 地址 250014 山东省济南市历下区文化东路88号

  • 入库时间 2022-08-23 12:46:46

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