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一种S波段三腔高功率微波器件

摘要

本发明公开了一种S波段三腔高功率微波器件,包括圆波导套筒,所述圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置内直径相同的反射腔、谐振腔和提取腔,所述反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上的环形槽;电压400kV,束流强度为7.0kA的环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,一个脉冲时间内辐射产生频率为2.4GHz的S波段高功率微波。采用本发明的一种S波段三腔高功率微波器件,具有小型化,重量轻,易调节的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN110718430B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910923739.2

  • 发明设计人 丁恩燕;张运俭;

    申请日2019-09-27

  • 分类号H01J23/36(20060101);H01J23/24(20060101);

  • 代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙杰;蒋仕平

  • 地址 621000 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱

  • 入库时间 2022-08-23 12:43:47

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